根据通路商消息，南韩三星电子看好第四季iPod等消费性产品需求旺盛，日前调拨8,000片DRAM产能，转投NAND型快闪记忆体，第三季DDRⅡ供给并未明显增加，将激励合约市场价格走高。
       三星电子转移部分产能，造成DDRⅡ供给不足，已带动8月上旬合约价上扬5%。茂德及南科等以合约DRAM出货为主的大厂，第三季成长幅度深获法人期待。
       南科昨天股价小涨0.1元或0.45%、收221元；茂德股价上涨0.15元或1.18%、收12.85 元。
       根据台某机构科技报价，512MB DDRⅡ合约价上涨5.13%，模组价格站上41美元；256MB DDRⅡ合约价也上涨5.13%来到22美元，显示OEM客户市场需求强劲。业者预期，8月下旬合约市场需求依然强劲，价格可望持续上涨。
       法人圈预期，国内记忆体大厂第三季导入90奈米制程效益尚未显现，但0.1微米世代的良率可望进一步提升，成本持续降低，而DRAM合约及现货价持续上涨5%到10%，毛利率将超越三成。
       该机构科技昨（8）日表示，上周DRAM价格涨幅集中在DDR颗粒，256Mb DDR因供给短缺，报价持续拉高。根据报价，256Mb DDR与效率测试（eTT）256Mb DDR，分别上涨至2.77美元及2.76美元；512Mb DDR（400MHz）也上涨至5.38美元，溢价幅度超过DDRⅡ。
       该机构科技认为，DDRⅡ受惠于记忆体厂商90奈米制程产出比重提高，512Mb DDRⅡ667MHz产出逐渐增加，使得DDRⅡ 533MHz 价差逐渐缩小，DDRⅡ512Mb 533MHz与DDRⅡ512Mb 667MHz价差，也由上周的0.18美元缩小到0.09美元。8月上旬合约价格普遍上涨3%至5%。
       该机构表示，整体DRAM市场仍处于DDR与DDRⅡ双缺状态，预期8月下旬至9月合约价，上涨趋势不会反转。