为了迎接下一波IC设计的高潮，日本尼康公司(Nikon)近日宣布推出用于32nm节点芯片生产的新型的193nm沉浸蚀刻扫描仪。

人们对尼康公司的新型NSR-S610C期待已久。今年二月，尼康就在一次研讨会上披露了NSR-S610C的消息。193nm沉浸的用途是大批量生产45nm半超低(half-pitch)存储器器件及32nm逻辑芯片。

尼康公司表示，NSR-S610C能够以足够的量产工艺极限来制造45nm器件的所有关键层。“尽早推出NSR-S610C设备，就可以让我们的客户在45-nm 生产中占据地位，”尼康精密设备有限公司总裁Kazuo Ushida说。

NSR-S610C的基础是为NSR-609B开发的沉浸蚀刻技术，这是尼康采用1.07 NA透镜为55nm量产开发的种沉浸工具，并于2006年一月交付使用。 新型沉浸扫描仪采用1.30数值孔径(NA)兼反射光及折射光的透镜以及尼康公司的四代极化技术Polano。

NSR-S610C采用了该公司的前后级和本地填充技术(tandem stage and local fill technologies)，前后级技术使系统每小时能够达到或高于130晶圆；对准精度已经提高到6.5nm或更小， 该系统将在2006年底交付使用。

“我们交付使用种0.85 NA透镜、种0.92 NA透镜以及种高NA系统，并将交付使用款1.30 NA系统，”尼康精密设备有限公司首席执行官Geoff Wild说，“我们将使客户能够于竞争对手掌握先进的技术，从而赢得市场占有率。”