英特尔去年演示了连续波硅激光，但这种新激光产生过多热量，对CMOS器件应用不实际。加州大学(UCLA)研究人员如今声称拥有了解决方案：用光电效应利用额外的热能，将热转换成电能为芯片供电。

研究人员报告说研制出一种脉冲硅激光，可在角逐中胜英特尔一筹。但这种激光不能连续工作，因为它会产生额外的热电子。2005年，英特尔开发出一种用于沉没热电子的技术，为连续波硅激光扫清了道路，但版本不能利用过剩能量。

UCLA称，他们此次又一次超越了英特尔，向业界展示了如何将Raman散射结构应用于CMOS器件，以利用自热电子而来的过剩能量产生动力。Raman散射装置回避了硅的间接能带隙，这种间接能带隙会阻止正常激光发射。Raman散射通过双光子吸收进行运作，过程中会产生热电子，以及随之而来的额外热能。