纯闪存解决方案供应商Spansion公司日前决定扩充与台积电签署的代工制造协议，增加采用300mm晶圆的Spansion 90nm MirrorBit技术。双方达成一致，在现有服务协议基础上，即为Spansion公司的110nm MirrorBit技术提供代工生产，增加了90nm MirrorBit的生产能力。

       为了帮助Spansion公司满足用户对其MirrorBit技术不断增长的需求，台积电从2006年第二季度开始生产采用110nm MirrorBit技术的Spansion闪存晶圆。90nm MirrorBit技术的目标量产时间为2007年下半年。

       根据扩充后的协议，台积电将逐步把Spansion的90nm制程技术引入其专门为Spansion产品开设的生产线。新的产能将有效地增强Spansion公司的内部产能，包括：

·Spansion公司位于得克萨斯州奥斯丁的旗舰工厂Fab 25的90nm MirrorBit产能将于2007年过渡到65nm MirrorBit技术；
·位于日本会津若松的Spansion JV3生产基地的110nm MirrorBit产能；
·预计将于2008年中期，在日本会津若松新落成的SP1生产基地投产采用了300mm晶圆的45nm MirrorBit产能。该基地还可以根据市场的需求在2007年开始量产65nm MirrorBit技术产品。

       “市场对我们的MirrorBit产品的需求非常强劲，”Spansion公司首席运营官Jim Doran表示，“通过扩充与代工厂的协议，我们可以提高业务的灵活性，根据需求的波动调节产能。这样我们可以在为客户保持稳定供应的同时，确保的运营效率。”

关于MirrorBit技术

       Spansion MirrorBit闪存能够利用一个基于氮化物的存储器件，在一个单元中存储两个独立的电荷。与浮动门NOR技术相比，MirrorBit技术可以提供一个更加简便的内存单元，其所需要的关键制造步骤也少得多。与传统的浮动门技术相比，MirrorBit技术可以提供更高的产量，并可以更加方便地扩展到更高的容量。Spansion为代码和数据存储解决方案提供了MirrorBit NOR和MirrorBit ORNAND解决方案。

       Spansion还通过在MirrorBit技术中集成逻辑块，提供了具有附加值的闪存解决方案，例如HD-SIM解决方案。这种解决方案能够为管理移动内容的分发、应用的安全传输和加强数字版权管理（DRM）提供新的手段。