据市场调研公司American Technology Research，三星电子(Samsung Electronics)已推迟8G NAND闪存芯片发货，但该公司正在悄悄地开发每单元存储四比特数据(4-bit-per-cell)的NAND闪存技术。

       据该公司消息，上述消息是三星电子在公布第二财季业绩时披露的，三星把8G multi-level-cell (MLC) NAND推迟了“一个季度”。与此同时，三星在扩大其产品组合。分析师Satya Chillara在一份报告中表示：“三星正在提出自己版本的4bits/cell技术，计划在2008年投产。”4-bit闪存技术使得能在同一个闪存单元实现4位信息存储，这是2-bit/cell MLC NAND闪存的两倍。

       三星的技术将与M Systems Flash Disk Pioneers Ltd. (以色列)、Saifun Semiconductors Ltd.(以色列)和其它公司进行竞争。M Systems表示，它预计在2007年初开始大规模生产其近宣布的x4 NAND闪存元件。

       Saifun开发出的一种4-bit-per-cell技术代号为“Quad-NROM”，它已向英飞凌和Spansion等厂商提供这种技术的授权。